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第114部分 (1 / 5)

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“各位院士,教授,下午好。”

在掌声中,庄纯侃侃而谈。

“……大型无线充电的实现原理是利用两端接头上的控制芯片对电流的控制……”

既有原理,也讲了实现后的效果。

“……在模拟实验室中,大型无线充电的标准有效距离为1km,最高有效距离为3km…5km,5km以外的区域,衰减太大,电流的衰减比会非常大,并不推荐这种方案。”

说着话,虚拟屏幕上适时贴出了一张电流衰减比的对比图。

底下某些参与了八一秘密研制的大型无线充电项目的院士和教授不知道别人是什么感受,他们只知道,此刻,他们内心实难平静。

因为,他们的实验结果是,在1米到5米的范围内,电流的衰减比就基本上与图表中5km以上的衰减比差不多了。

这种差距,简直无法比较。

“当然,芯片也可以控制电流的输出效率……”

庄纯随意的补充了一句,作为大型无线充电制造的最后注脚。

白克凉深深的看了眼挥洒自如的庄纯,心下不无感慨,这个各方面仿佛都不太出众的年轻人,其智近乎妖!

说是42公司的成果,还不是他庄纯一个人的成果。

热烈的掌声中,庄纯淡笑着。

由于某些因素,庄纯在这次讲解中,一个字都没提及42公司以及他本人的名字。

“接下来……”

ps:前阵子刚看完颈椎,这会腰椎又有问题了,码字这个职业……

第二百七十一章 婉拒

庄纯平静的声音响起。

“接下来,咱们来看一看更先进的光刻机的实现原理。”

虚拟屏幕上投射出一张极为复杂的局部构造图。

“这是光刻机最关键的部件,光刻制程布局道,我们都知道,要想让光刻制程提升,有很多因素,光源啦,光道等等。

在工业界之前的认知中,目前理论预测的极限大概在3nm左右,如今市面上基本上已经开始流通7nm了,台积电也在紧张筹备5nm、3nm生产线,阿斯麦估摸着实验室对5nm的研制已经很深入了。

我想说的是,理论的极限是真正的物理极限,1nm。”

庄纯先是用冗长的一段话,给在座的院士教授们解释了一些既有的理论,顺便提出了自己的观点。

“庄总,请问你对1nm这个理论极限的推测依据是什么?”

终于,有一个院士发言提问了。

“大家别急嘛,接下来我要说的就是这个。

在研究出5nm制程的光刻机之时,在模拟实验室中有些意外的发现,将原先的研究成品推翻了。

如今展现给大家看的,是5nm光刻机,但是,已经兼容了3nm,只要某些关键的工艺在做一点小突破,直接能上线3nm,也就是之前预测的理论极限。

但,在这个过程中,又有了新的意外发现,3nm并不是极限……”

庄纯简单的几句话,不仅解释了1nm的依据,也带来了绝对的震撼。

能坐在这个会议室的人,都不是靠吹吹捧捧爬上去的,都是有真才实学的,非常明白庄纯话语中的含义。

与其说是5nm,不如说是3nm成品。

极其热烈的掌声在短暂的震撼过后,响起。

庄纯没有丝毫得意的情绪,继续给众院士教授讲解着5nm、3nm、1nm光刻的原理,当然1nm的说得很少很少,几乎是一带而过。

白克凉、许泽宽等八一高层虽然听不太懂

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