，只是淡淡地说道：“没想到你也懂啊，那……”
陆军见形势又不对，立即插嘴为付新解围道：“黄伯伯，付厂长他很厉害的，他的技术，在我们厂里那绝对是排第一，不过他平时工作太多，没有把全部精力放在研发上去就是了。”
黄老爷子对陆军打断他说话有些不满，不过他懂了陆军的意思，也就没有提出之前的问题，而是不高兴地说了一句：“不务正业！”
付新囧了，他知道这黄老爷子要考考他，他对这个，根本不怕，心想着让黄老爷更进一步改变对自己的印象，没想到陆军自作多情，帮他解围，帮了倒忙。这些基础知识，如果付新被考住，那可真是与眼前这个老头子无缘了！
但是，泥人也有三分火气，三番两次地被这老爷子弄得尴尬，付新终于忍不住了，于是故意找了一个难题，向黄老爷子诚恳地问道：“老爷子，我以前听说过一种英文缩写名叫做IGBT，全称叫做Insulated＿Gate＿Bipolar＿Transistor的绝缘栅双极型晶体管，它是由BJT，双极型三极管和MOS，绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
可是我一直搞不懂它的工作特性，为什么分静态特性和动态特性，静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性，动态特性我只知道一个，是IGBT在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压Uds下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和，因此又增加了一段延迟时间。我想问您，你知道这个这个IGBT绝缘栅双极型晶体管的工作特性为什么会这样吗？”
第二十七章 华兴实业发展公司
关于IGBT绝缘栅双极型晶体管的工作特性，要是黄老爷子真得能答出来，付新可真要保住黄老爷子大喊同行了！
不说别的，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即被介绍到世间，也才过去两年，也就是一九七九年，IGBT概念的先驱MOS栅功率开关器件才问世。
另外，在付新的上辈子，到死也没有见到我国真正拥有完全自主的IGBT“中国芯”，因为完全自主IGBT“中国芯”是到2013年9月12日我国自主研发的高压大功率3300V/50AIGBT绝缘栅双极型晶体管芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300VIGBT模块通过了专家鉴定才问世的，这时候，付新已经穿越。
很可惜，黄老爷子不是付新的同行，他连IGBT这个英文缩写词都没听过，对于付新的问题，他根本答不上一句来，“呃……”黄老爷子的脸色涨的通红。
不过黄老爷子这种纯粹的研究人员，最重要的，是他们对新知识的渴求，所以没过一会儿，黄老爷子就不耻下问地朝付新问道：“付同志，我为我之前对你的偏见道歉，你能给我讲一讲这个IG什么BT吗？”
“是IGBT，英文全称Insulated＿Gate＿Bipolar＿Transistor，中文名叫做绝缘栅双极型晶体管。”付新纠正道。
然后付新继续说道：“它是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件兼有MOSFET……的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电